Mr. A. Hariya has been presented about his simulation experiences of Maxwell 3D for his research, “MHz-level isolated DC-DC converter with GaN-HEMT”, in ANSYS Convergence 2015, Oct. 23, 2015, at Minato-ku, Tokyo.
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ANSYS Electronics Simulation Expo. B-2
平成27年10月23日（金）13:40 – 14:10@虎の門ヒルズ
MHz駆動高電力密度絶縁形DC-DCコンバータ内におけるGaN-HEMTに対する漏れ磁束の影響とその対策
長崎大学工学研究科 博士課程（5年一貫制） グリーンシステム創成科学専攻 針屋 昭典
長崎大学 工学研究科 古賀 友也
TDK株式会社 技術本部 松浦 研
TDKラムダ株式会社 技術統括部 先行開発部 栁 洋成
TDKラムダ株式会社 技術統括部 先行開発部 富岡 聡
長崎大学大学院 工学研究科 石塚 洋一
九州大学名誉教授 二宮 保
講演概要
近年、絶縁形DC-DCコンバータの高電力密度化を実現するために、横型構造のスイッチ素子であるGaN-HEMTが多く用いられるようになってきた。しかし、高電力密度化により素子同士の近接化がますます問題となっており、その相互の影響について検討し、設計へ反映する必要がある。
本発表では、5MHz駆動の絶縁形DC-DCコンバータにて、磁気トランスの漏れ磁束がGaN-HEMTに与える影響についての検討、さらに、その影響を軽減するために多層基板の一層を磁気シールドとして導入した場合の有効性について解析および実験結果から述べる。さらに、本研究の遂行にあたりMaxwell 3Dの利用が非常に有効であったため解析ステップについても発表を行う。
